MOSFET是一種常用的電子半導(dǎo)體器件，在電路應(yīng)用中，當(dāng)MOSFET的源-漏電流在溝道夾斷之后
會(huì)變得更大、并且是飽和的，難道與源-漏電壓無關(guān)嗎？MOSFET的溝道夾斷是指柵極電壓大于閾值
電壓、出現(xiàn)了溝道之后，源-漏電壓使得溝道在漏極端夾斷的一種狀態(tài)。

實(shí)際上，溝道在一端夾斷并不等于完全沒有溝道。當(dāng)柵電壓小于閾值電壓時(shí)，則完全沒有溝道，
這是不導(dǎo)電的狀態(tài)——截止?fàn)顟B(tài)。而溝道的夾斷區(qū)由于是耗盡區(qū)，增加的源-漏電壓也主要是降落
在夾斷區(qū)，則夾斷區(qū)中存在很強(qiáng)的電場，只要有載流子到達(dá)夾斷區(qū)的邊緣，即可被電場拉過、從漏
極輸出，因此夾斷區(qū)不但不阻止載流子通過，而相反地卻能夠很好地導(dǎo)電，所以有溝道、并且溝道
在一端夾斷的狀態(tài)，是一種很好的導(dǎo)電狀態(tài)，則溝道夾斷之后的輸出源-漏電流最大。

MOSFET的溝道在漏極端夾斷以后，由于夾斷區(qū)基本上是耗盡區(qū)，則再進(jìn)一步增加的源-漏電壓，
即將主要是降落在夾斷區(qū)，這就使得未被夾斷的溝道——剩余溝道的長度基本上保持不變；而在溝
道夾斷之后的源-漏電流主要是決定于剩余溝道的長度，所以這時(shí)的源-漏電流也就基本上不隨源-漏
電壓而變化—輸出電流飽和。MOSFET元器件在數(shù)字集成電路應(yīng)用中較為常見。

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