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EC6D-5 開(kāi)關(guān)IC芯片
電子開(kāi)關(guān)IC芯片
一、功能和應(yīng)用:
CMOS制造工藝,低功耗,內(nèi)置振蕩電阻,可以直接用6V電源.輸出電能力比較大,.觸發(fā)功能.可以做開(kāi)關(guān)使用。有一選擇腳OPT接GND。可以選擇SOS功能.,長(zhǎng)按1.5秒為SOS模式OTP懸空觸發(fā)閃爍方式為:
觸發(fā)第一次:亮
觸發(fā)第二次:滅
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- [麗晶微動(dòng)態(tài)]開(kāi)關(guān)電源方案的電磁干擾分析2019年09月19日 09:20
- 開(kāi)關(guān)電源方案的電磁干擾分析-電子開(kāi)關(guān)芯片 開(kāi)關(guān)電源方案設(shè)計(jì)。首先將工頻交流整流為直流,再逆變?yōu)楦哳l,最后再經(jīng)整流濾波電路輸出,得到穩(wěn)定的直流電壓。電路設(shè)計(jì)及布局不合理、機(jī)械振動(dòng)、接地不良等都會(huì)形成內(nèi)部電磁干擾。同時(shí),變壓器的漏感和輸出二極管的反向恢復(fù)電流造成的尖峰,也是潛在的強(qiáng)干擾源。 1 內(nèi)部干擾源 開(kāi)關(guān)電源方案電路 開(kāi)關(guān)電路主要由開(kāi)關(guān)管和高頻變壓器組成。開(kāi)關(guān)管及其散熱片與外殼和電源內(nèi)部的引線間存在分布電容,它產(chǎn)生的du/dt具有較大幅度的脈沖,頻帶較寬且諧波豐富。開(kāi)關(guān)管
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- [麗晶微動(dòng)態(tài)]開(kāi)關(guān)電源重要波形GS分析,帶你設(shè)計(jì)可靠電源-電子開(kāi)關(guān)IC2019年09月02日 10:22
- 開(kāi)關(guān)電源重要波形GS分析,帶你設(shè)計(jì)可靠電源-電子開(kāi)關(guān)IC 一、前言 要想設(shè)計(jì)好一款開(kāi)關(guān)電源,從元器件選型、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)選擇,再到PCB設(shè)計(jì)畫(huà)板,最后測(cè)試調(diào)試優(yōu)化,過(guò)程要經(jīng)歷很多,另外還要測(cè)試相關(guān)的波形驗(yàn)證所選元器件余量是否足夠,例如對(duì)于反激式的開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)管的GS電壓不僅與變壓器匝數(shù)比有關(guān),也與輸入電壓有關(guān),通過(guò)測(cè)試開(kāi)關(guān)電源相關(guān)波形可以知道處于CCM模式還是DCM模式。 但是對(duì)于非芯片構(gòu)成開(kāi)關(guān)反激式電源,選擇MOS開(kāi)關(guān)管尤為重要,不僅要考慮到GS兩端電壓,同時(shí)還要兼顧散熱等
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- [常見(jiàn)問(wèn)題]MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的這些“重要細(xì)節(jié)”2019年08月20日 09:15
- 有關(guān)MOSFET的基本知識(shí) 一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流然而,在MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。 如果不考慮紋波和EMI等要求的話,MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好,因?yàn)殚_(kāi)關(guān)時(shí)間越短,開(kāi)關(guān)損耗越小,而在開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)損耗占總損耗的很大一部分,因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率 對(duì)于一個(gè)MOS管,如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開(kāi)啟電壓所用的時(shí)間越短,那么MOS管開(kāi)啟的速度就會(huì)越快。與此類似,如果把MOS管
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- [麗晶微動(dòng)態(tài)]使用MOS管的注意事項(xiàng)2019年07月17日 14:10
- 使用MOS管的注意事項(xiàng) MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^7~10^12Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。 所有MOS集成電路(包括P溝道MOS,N溝道MOS,互補(bǔ)MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵,以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm、50nm、80nm三種。 在集成電路高阻
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- [麗晶微動(dòng)態(tài)]幾種有效的開(kāi)關(guān)電源電磁干擾抑制措施2019年05月14日 12:09
- 幾種有效的開(kāi)關(guān)電源電磁干擾抑制措施 目前,許多大學(xué)及科研單位都進(jìn)行了開(kāi)關(guān)電源EMI(Electromagnetic Interference)的研究,他們中有些從EMI產(chǎn)生的機(jī)理出發(fā),有些從EMI 產(chǎn)生的影響出發(fā),都提出了許多實(shí)用有價(jià)值的方案。這里分析與比較了幾種有效的方案,并為開(kāi)關(guān)電源EMI 的抑制措施提出新的參考建議。 開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的產(chǎn)生機(jī)理 開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的干擾,按噪聲干擾源種類來(lái)分,可分為尖峰干擾和諧波干擾兩種,若按耦合通路來(lái)分,可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。現(xiàn)在按
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- [麗晶微動(dòng)態(tài)]單片機(jī)按鍵設(shè)計(jì)的四個(gè)方案詳解2019年05月06日 10:46
- 深圳市麗晶微電子科技有限公司,專注于電子開(kāi)關(guān)IC,觸發(fā)開(kāi)關(guān)芯片,一鍵開(kāi)關(guān)機(jī)IC,長(zhǎng)按開(kāi)關(guān)機(jī)芯片,電子開(kāi)關(guān)IC,觸發(fā)按鍵開(kāi)關(guān)芯片,按鍵開(kāi)關(guān)芯片,按鍵開(kāi)關(guān)IC,ON/OFF開(kāi)關(guān)IC芯片,更多產(chǎn)品請(qǐng)咨詢0755-2910008
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- [麗晶微動(dòng)態(tài)]埃森哲:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的五大機(jī)會(huì)-開(kāi)關(guān)芯片2018年10月22日 11:05
- 埃森哲:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的五大機(jī)會(huì)-開(kāi)關(guān)芯片 由于分析機(jī)構(gòu)和企業(yè)的一致看衰,產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)開(kāi)始對(duì)半導(dǎo)體的未來(lái)有了恐慌性的情緒。日前高盛甚至對(duì)工業(yè)和汽車(chē)的未來(lái),抱有不確定的觀點(diǎn)。這就使得整個(gè)產(chǎn)業(yè)開(kāi)始重新審視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和未來(lái)方向。埃森哲也在日前發(fā)表的報(bào)告中,闡述了他們看好的六大半導(dǎo)體機(jī)會(huì)。 一、全民AI:讓企業(yè)和社會(huì)受益 AI的覆蓋范圍在整個(gè)社會(huì)都在不斷擴(kuò)大。事實(shí)上,在我們的調(diào)查中,90%的半導(dǎo)體行業(yè)高管認(rèn)為,在未來(lái)三年內(nèi),每人每天都會(huì)受到基于AI決策的直接影響。因此,任何想要利用A
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- [麗晶微動(dòng)態(tài)]電源電路設(shè)計(jì)常用軟件介紹-開(kāi)關(guān)電源IC芯片2018年08月04日 10:37
- 電源電路設(shè)計(jì)常用軟件介紹-開(kāi)關(guān)電源IC芯片 電源開(kāi)發(fā)離不開(kāi)設(shè)計(jì),那么都有那些軟件來(lái)支持工程師們的工作吶?小編整理了下電源電路設(shè)計(jì)常用軟件合集,希望可以幫助大家~ SPICE模擬電路仿真 用于模擬電路仿真的SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)軟件于1972年由美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)小組利用FORTRAN語(yǔ)言開(kāi)發(fā)而成,主要用于大規(guī)模集成電路的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。SPICE的正式實(shí)用版SPI
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