觸摸臺燈電路板電路中MOSFET常見的擊穿特征
觸摸臺燈電路板電路中有推動燈串的電流放大電路，這其中起放大作用的元器件，很多都是使
用MOSFET，因其有電流放大倍數較大、功率高、穩定性強等特點。觸摸電路板的LED輸出與 MOSFET
的響應速度也有一定關系，響應速度快，燈光在轉換時平順，無停頓。
觸摸板上面的這個MOSFET有時也會燒壞掉，就是我們常說的擊穿，擊穿有以下幾種特征：
（1）穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中，電流有逐步增大的特征，這是因為耗盡層擴展較寬，產生
電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發生DIBL效應，使源襯底結正偏出現電流逐步增大的特征。
（2）穿通擊穿的軟擊穿點發生在源漏的耗盡層相接時，此時源端的載流子注入到耗盡層中，被耗盡
層中的電場加速達到漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點，這個電流的急劇增大和雪崩擊
穿時電流急劇增大不同，這時的電流相當于源襯底PN結正向導通時的電流，而雪崩擊穿時的電流主
要為PN結反向擊穿時的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。
（3）穿通擊穿一般不會出現破壞性擊穿。因為穿通擊穿場強沒有達到雪崩擊穿的場強，不會產生大
量電子空穴對。
（4）穿通擊穿一般發生在溝道體內，溝道表面不容易發生穿通，這主要是由于溝道注入使表面濃度
比濃度大造成，所以，對NMOS管一般都有防穿通注入。
（5）一般的，鳥嘴邊緣的濃度比溝道中間濃度大，所以穿通擊穿一般發生在溝道中間。
（6）多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的，隨著柵長度增加，擊穿增大。而對雪崩擊穿，嚴格來說也
有影響，但是沒有那么顯著。
在觸摸LED燈線路板電路中應用MOSFET時，各項參數一定要測量確認，例如電壓、電流等極限值，
防止過高而引起擊穿。
