我國研制成功100G硅光收發芯片

記者從中國信息通信科技集團獲悉，我國自行研制的“100G硅光收發芯片”日前在武漢投產使用，并通過了用戶現網測試，性能穩定可靠。這標志著我國商用100G硅光芯片正式研制成功，將推動我國自主硅光芯片技術邁上新臺階。

這款硅光芯片由國家信息光電子創新中心、光纖通信技術和網絡國家重點實驗室、武漢光迅科技股份有限公司以及中國信息通信科技集團聯合研制，在一個不到30平方毫米的硅芯片上集成了包括光發送、調制、接收等近60個有源和無源光元件。芯片具備超小型、高性能、低成本、通用化等優點，可廣泛應用于傳輸網和數據中心光傳輸設備。

硅光技術的核心理念是“以光代電”，即采用激光束代替電子信號傳輸數據，將光學器件與電子元件整合至一個獨立的微芯片中。在硅片上用光取代傳統銅線作為信息傳導介質，大大提升芯片之間的連接速度。

近年來，硅光技術持續發展，以Luxtera、Intel及IBM為代表的公司不斷推出商用級硅光集成產品。2018年，全球硅光芯片及其封裝器件市場將接近2億美元，且整體市場有望保持高速增長。據Yole預測，到2025年硅光子市場規模將超13億美元，其中將超過90%來自于數據中心應用。

專家表示，100G硅光芯片的產業化商用，表明我國已經具備硅光產品商用化設計的條件和基礎。我們認為，隨著流量的持續爆發，芯片層面的“光進銅退”將成大勢所趨，硅光集成在未來有望大規模應用。

國家信息光電子創新中心專家委員會主任、中國工程院院士余少華表示，100G硅光芯片的產業化商用，表明我國已經具備硅光產品商用化設計的條件和基礎。未來，硅光技術將在光通信系統中大規模部署和應用，推動我國自主硅光芯片技術向超高速、超大容量、超長距離、高集成度、高性能、低功耗、高可靠的方向發展。

硅光芯片面臨的問題

硅光之所以吸引人，是因為其低成本，低功耗，成熟的CMOS工藝的運用，集成度高，結構緊湊，最終取代銅互連實現光互連。無疑是未來發展的大趨勢，但是目前存在的問題限制了它的應用。

一個是光源的問題。因為硅材料本身是間接帶隙，本身出光困難，硅基激光器一度是公認的世界難題。也就是說除了激光器，幾乎其他所有的光器件功能都能由硅光實現，國外的廠商也已經做出成品準備批量出貨了。但是硅基激光器還沒有大的技術突破，目前研究比較熱的銦磷增益介質和硅基波導混合集成（非單片集成）的半導體激光器可以勉強認為是硅基，然而也存在耦合，調諧等問題，距離真正商用還需要一定技術完善。

另一個是成本問題。硅基原料成本固然低，但是傳統CMOS生產線并不能直接生產硅光器件，還要需要做一定優化。而且從實驗室到商用還需要考慮封裝方案還有模塊成品率等問題，所以硅光器件不見得成本就比三五族低得多。成本居高不下的話運營商不愿意買賬，談何推廣

就目前來看，打破壁壘是一件困難的事情，硅光技術真正走出實驗室還需要一段時間。到那時候摩爾定律什么的，估計也就用不上了。

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