一. 功率二極管
1.根據制造工藝分：
擴散功率二極管
外延功率二極管
2. 根據特性參數分:
普通整流功率二極管
快恢復二極管
超快恢復二極管
肖特基二極管（SBD）
3.功率二極管的工藝與結構
基本結構：pnn+結構和p+pnn+結構
制作工藝：外延和擴散
外延功率二極管--pnn+（pin）結構
外延功率二極管--pnn+（pin）結構
擴散功率二極管--p+pnn+結構
擴散功率二極管--p+pnn+結構
功率二極管的工作原理
功率二極管的工作原理
1)當 當功率二極管的UAK<0時，p+n結反偏，承擔反向電壓，功率二極管處于反向阻斷狀態，此時漏電流很小。當UAK 繼續增加，直到大于p+n 結雪崩擊穿電壓UBD時，功率二極管發生雪崩擊穿，此時漏電流急劇增加。
2）當 UAK>0時，p+陽極區向n區注入空穴，n+陰極區向n區注入電子；當n區充滿大量的非平衡載流子( △n=△p>>nn0 ) ，即達到大注入時，n區內發生電導調制效應，功率二極管處于正向導通狀態，此時通過器件的電流很大，兩端的壓降很低。
3) 當撤走陽-陰極兩端的正向電壓, 并同時加上反壓(UAK<0)， 器件由導通狀態進入反向恢復過程導通狀態下存儲在n區中的大量的非平衡載流子開始消失。陽-陰極之間的反向電壓可加速n區中非平衡載流子的抽取，縮短反向恢復時間。直到n區中的非平衡載流子徹底消失，功率二極管才完全截止。
功率二極管的主要參數
1. I F(AV)：正向平均電流
在規定的結溫和散熱條件下，允許流過的最大正弦半波電流的平均值。
2. UF：正向壓降
指在一定溫度下，流過某一指定的穩態正向電流時對應的管壓降。
3.URRM：反向重復峰值電壓
所能重復施加的反向最高峰值電壓，其雪崩擊穿電壓UB的2/3。
4. TJM：最高工作結溫
在PN結不損壞的前提下，所能承受的最高平均溫度(125~175℃)。
5. trr：反向恢復時間
指由導通到關斷時，從正向電流過零到反向電流下降到其最大值的1/4時的時間間隔。
6. I FSM：浪涌電流
指功率二極管所能承受的最大的連續一個或幾個工頻周期的過電流。
功率二極管的應用
1 工頻應用：整流
2 開速開關應用：開關電源、不間斷電源、交流電動機
3 逆變電路：與晶閘管、GTO、GCT和IGBT等器件反并聯續流用。
功率二極管的結構、特點及應用比較
功率二極管的結構、特點及應用比較
二、整流橋
簡介：整流橋就是將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。
整流橋的作用是通過二極管的的單向導通性將電平在零點上下浮動的交流電轉換為單向的直流電。
三、分立器件芯片
簡介：分立元件是與集成電路（俗稱說“芯片”）相對而言，就是指普通的電阻、電容、晶體管等電子元件，統稱分立元件。所謂的分立元件就是最小的元件，內部沒有集成的東西，在換句話就是，沒有內部電路。
深圳市麗晶微電子科技有限公司，專注于IC芯片定制，PCBA定制，主要產品是定時IC芯片，單片機開發，化妝鏡觸摸線路板，觸摸電路板，閃燈IC芯片定制 ，語音IC芯片方案開發。
