中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深舉行

深圳企業(yè)在論壇上展示半導(dǎo)體領(lǐng)域科研成果。

我國(guó)的半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展愈加愈速度，昨日由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)指導(dǎo)，南方科技大學(xué)、深圳市坪山區(qū)人民政府、深圳青銅劍科技股份有限公司共同主辦的“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳館舉行。來(lái)自英國(guó)、瑞典、中國(guó)的兩百多位專(zhuān)家學(xué)者和產(chǎn)業(yè)界人士參加論壇，圍繞碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體技術(shù)的最新發(fā)展前景展開(kāi)熱議。

以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)，作為新一代信息技術(shù)、新能源、新材料三大產(chǎn)業(yè)的結(jié)合，受到深圳市的高度重視。前深圳市在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域具有較好的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)，不少高校與企業(yè)在從事這方面的工作。他指出要借助此次論壇的召開(kāi)，搭建更高效的國(guó)際交流平臺(tái)，促進(jìn)我國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展。

與會(huì)的專(zhuān)家學(xué)者分別從各自的研發(fā)領(lǐng)域針對(duì)碳化硅和氮化鎵器件的設(shè)計(jì)、工藝、應(yīng)用進(jìn)行了深入介紹，并探討了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)機(jī)遇和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

目前全球碳化硅功率器件的發(fā)展與應(yīng)用情況采用自主研發(fā)的新型工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)的全外延結(jié)構(gòu)溝槽JBS二極管，各項(xiàng)指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。

近年來(lái)，以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目。由于其具有禁帶寬、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、消費(fèi)類(lèi)電子等領(lǐng)域，被視為支撐能源、交通、信息、國(guó)防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心技術(shù)，全球市場(chǎng)容量未來(lái)將達(dá)到百億美元，已成為美國(guó)、歐洲、日本半導(dǎo)體行業(yè)的重點(diǎn)研究方向之一。

目前我國(guó)在第三代半導(dǎo)體材料研究上一直緊跟世界前沿，是世界上為數(shù)不多的碳化硅材料襯底、材料外延產(chǎn)業(yè)化的國(guó)家。在第三代半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和制造工藝方面也在向世界先進(jìn)水平邁進(jìn)。麗晶微電子的PCBA解決方案、IC解決方案、單片機(jī)開(kāi)發(fā)、芯片開(kāi)發(fā)，一直在不斷的新的研發(fā)中。

目前中國(guó)的第三代半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)迎來(lái)發(fā)展的春天。基本半導(dǎo)體公司通過(guò)整合海內(nèi)外創(chuàng)新技術(shù)、人才與國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)資源，已全面掌握碳化硅器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等各方面技術(shù)，成為國(guó)內(nèi)發(fā)展最快的碳化硅功率器件企業(yè)之一。

本文來(lái)自深圳商報(bào)，略有刪減。