場效應管是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。由于它僅靠半
導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。場效應管不但是具備雙極型晶體管體積小，重量輕，壽命長等優
點，而且輸入回路的內阻很高，噪聲低，熱穩定性好，搞輻射能力強，且比后者耗電省。場效管分為結型和絕緣
柵型兩種不同的結構。

     結型場效應管又有N溝道和P溝道兩種類型,每種溝道都有三個電極,在同一塊N型半導體上制作兩個高摻雜的
P 區,并將它們連接在一起,所引出的電極稱為柵極G,N型半導體的兩端分別引出兩個電極,一個稱為漏極D,一個稱
為源極S。P區與N區交界面形成耗盡層，漏極與源極間的非耗盡層區域稱為導電溝道。為使N溝道結型場效應管能
正常工作,應在其柵極和源析之間加負向電壓,以保證耗盡層承受負向電壓，在漏極和源極之間加正向電壓，以形
成漏極電流，既保證了柵極源極之間內阻很高的特點，又實現了對N溝道電流的控制。結型場效應管當柵極-源極
電壓為常量時，漏極電流與漏-源電壓之間的函數關系。即對應一個柵源電壓，就有一條曲線， 這就是場效應管
的輸出特性。場效應管有三個工作區域，1.可變電阻區，2.恒流區，3.夾斷區。

     絕緣柵型場效應管的柵極與源極，柵極與漏極之間均采用氧化硅絕緣層隔離，因此得名。又因柵極G為金屬
鋁，幫又稱為MOS管。它的柵-源間電阻比結型場效應管大得多，還因為它比結型場效應管溫度穩定性好，集成化
時工藝簡單，而廣泛用于大規模集成電路中。秘結型場效應管相同，MOS管也有N溝道和P溝道兩類,但每一類又分
為增強型和耗盡型兩種,因此MOS管的四種類型為:N溝道增強型,N溝道耗盡型,P溝道增強型,P溝道耗盡型。凡柵源
電壓為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，凡柵-源電壓為零時漏析電流不為零的管子均屬于耗盡型管。

    深圳市麗晶微電子科技有限公司，專業從事半導體器行業的設計和銷售，專注于MASK,AISK芯片定制,定時IC,
閃燈IC,音樂IC定制,PCBA定制。提供有大量標準品IC和客戶委托開發設計的OTP軟件定制。
聯系電話:0755-29100085。