MOSFET是一種常用的電子半導體器件，在電路應用中，當MOSFET的源-漏電流在溝道夾斷之后
會變得更大、并且是飽和的，難道與源-漏電壓無關嗎？MOSFET的溝道夾斷是指柵極電壓大于閾值
電壓、出現了溝道之后，源-漏電壓使得溝道在漏極端夾斷的一種狀態。
實際上，溝道在一端夾斷并不等于完全沒有溝道。當柵電壓小于閾值電壓時，則完全沒有溝道，
這是不導電的狀態——截止狀態。而溝道的夾斷區由于是耗盡區，增加的源-漏電壓也主要是降落
在夾斷區，則夾斷區中存在很強的電場，只要有載流子到達夾斷區的邊緣，即可被電場拉過、從漏
極輸出，因此夾斷區不但不阻止載流子通過，而相反地卻能夠很好地導電，所以有溝道、并且溝道
在一端夾斷的狀態，是一種很好的導電狀態，則溝道夾斷之后的輸出源-漏電流最大。
MOSFET的溝道在漏極端夾斷以后，由于夾斷區基本上是耗盡區，則再進一步增加的源-漏電壓，
即將主要是降落在夾斷區，這就使得未被夾斷的溝道——剩余溝道的長度基本上保持不變；而在溝
道夾斷之后的源-漏電流主要是決定于剩余溝道的長度，所以這時的源-漏電流也就基本上不隨源-漏
電壓而變化—輸出電流飽和。MOSFET元器件在數字集成電路應用中較為常見。
